[发明专利]一种低压瞬态抑制二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202210131251.8 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114171385A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种低压瞬态抑制二极管及其制造方法，制造方法包括：提供一基底；在基底的两个表面分别形成沟槽；对有沟槽的基底进行氧化，以在沟槽表面形成预设厚度的二氧化硅层，并在氧化过程中使得衬底靠近二氧化硅层的一侧形成第二掺杂区，第一掺杂层靠近二氧化硅层的一侧形成第三掺杂区，第二掺杂区与第三掺杂区之间形成第二PN结；在沟槽上形成玻璃钝化层。由于二氧化硅层采用热氧化工艺形成，在形成过程中，形成第二掺杂区以及第三掺杂区，两者并在沟槽内表面形成一个窄小的第二PN结，由于二氧化硅排磷效果大于吸硼效应，因此第二PN结的击穿电压低于第一PN结的击穿电压；因为第二PN结的低击穿电压，第二PN结的总面积比较小，从而使芯片体内漏电流变小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 瞬态 抑制 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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