[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制造方法，所述制造方法包括：在衬底上形成第一区，所述第一区包括设置在所述衬底上的第一堆叠结构及第一沟道结构，所述第一沟道结构贯穿所述第一堆叠结构；在所述第一区上形成阵列共源极，所述第一沟道结构与所述阵列共源极连接；以及在所述阵列共源极上形成第二区，所述第二区包括第二堆叠结构及第二沟道结构，所述第二沟道结构贯穿所述第二堆叠结构、且与所述阵列共源极连接。在本发明实施例中，第一区与第二区垂直设置，且两者共用阵列共源极，能够克服形成沟道孔的工艺难度，实现高层数堆叠，并且能够减小第一沟道结构及第二沟道结构的沟道层的长度，降低沟道电阻，增加沟道电流，提高三维存储器的稳定性。