[发明专利]处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法

摘要

本申请的实施例提供处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法。该外延片包括衬底和外延层。该方法包括：在第一工艺下，对外延片衬底进行退火达第一时间，以控制该衬底的体微缺陷密度。方法还包括：在第二工艺下，使衬底生长外延层，第二工艺的温度高于第一工艺的温度。此外，处理外延片的另一种方法包括：在第一时间内对该外延片进行退火，退火的温度为第一温度，在第二时间内对该外延片进行退火，退火的温度为高于该第一温度的第二温度，第一温度、第二温度、第一时间和第二时间基于调节函数来确定，该调节函数指示退火的该温度和时间的关联性。利用本申请的实施例，可以调节体微缺陷密度和均匀性。