[发明专利]形成字线连接区的方法、半导体结构、存储器及存储系统在审
| 申请号： | 202210141421.0 | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN114551343A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 谢炜;徐玲;王迪;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11568;H01L27/11582;G11C5/06;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请的实施方式提供了一种形成字线连接区的方法、半导体结构、存储器及存储系统。形成字线连接区的方法包括：形成第一堆叠结构，第一堆叠结构包括通过堆叠栅极牺牲层和层间绝缘层形成的多个第一堆叠层；在第一堆叠结构表面上形成图形化的掩膜层，图形化的掩膜层中具有暴露出第一堆叠结构表面的多个开口，在垂直于所述第一堆叠结构的堆叠方向的平面上，至少两个开口的截面尺寸不同；通过多个开口在第一堆叠结构中形成多个接触孔，每个接触孔分别到达各自预定深度的栅极牺牲层；以及在每个接触孔中分别形成导电接触部。本申请的实施方式提供的形成字线连接区的方法可提高半导体结构的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 连接 方法 半导体 结构 存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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