[发明专利]非晶态金属薄带、非晶态金属薄带的制造方法及磁芯在审
申请号: | 202210142102.1 | 申请日: | 2022-02-16 |
公开(公告)号: | CN114974783A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 中村敦 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01F1/153 | 分类号: | H01F1/153;H01F3/04;H01F41/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵曦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供非晶态金属薄带、非晶态金属薄带的制造方法及磁芯,当在磁通密度较高的条件下进行测定时,铁损和励磁功率也较低。一种非晶态金属薄带,其特征在于,具有多个由排列成列状的多个激光照射痕构成的激光照射痕列,使相互相邻的所述激光照射痕列彼此的间隔为d1,使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的间隔为d2,使所述激光照射痕的直径为d3,在使所述激光照射痕的数量密度D为(1/d1)×(1/d2)时,所述激光照射痕的数量密度D为0.05个/mm |
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搜索关键词: | 晶态 金属 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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