[发明专利]非晶态金属薄带、非晶态金属薄带的制造方法及磁芯在审

专利信息
申请号: 202210142102.1 申请日: 2022-02-16
公开(公告)号: CN114974783A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 中村敦 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01F1/153 分类号: H01F1/153;H01F3/04;H01F41/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 赵曦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供非晶态金属薄带、非晶态金属薄带的制造方法及磁芯,当在磁通密度较高的条件下进行测定时,铁损和励磁功率也较低。一种非晶态金属薄带,其特征在于,具有多个由排列成列状的多个激光照射痕构成的激光照射痕列,使相互相邻的所述激光照射痕列彼此的间隔为d1,使所述激光照射痕列中的所述激光照射痕彼此的间隔为d2,使所述激光照射痕的直径为d3,在使所述激光照射痕的数量密度D为(1/d1)×(1/d2)时,所述激光照射痕的数量密度D为0.05个/mm2以上且0.50个/mm2以下,在使所述激光照射痕的面积占有率A为D×(d3/2)2×π×100时,所述激光照射痕的面积占有率A为0.0035%以上且0.040%以下。
搜索关键词: 晶态 金属 制造 方法
【主权项】:
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