[发明专利]一种集成ESD二极管的沟槽MOSFET优化工艺有效
| 申请号： | 202210145943.8 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114464536B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 鄢细根;黄种德 | 申请（专利权）人： | 厦门中能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 泉州市立航专利代理事务所(普通合伙) 35236 | 代理人： | 李政 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)自*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一种集成ESD二极管的TRENCH MOSFET优化工艺，主要是应用于常规N管和P管的TRENCH MOSFET产品使用，使其产品本身抗静电能力得到提高的同时降低ISGS漏电级别，改进了目前集成ESD二极管的TRENCH MOSFET产品由于工艺流程不合理导致的ISGS漏电偏大现象，提出ESD本征多晶硅生长后先不进行P型杂质注入，而是先与BODY区高温一起热处理，经过高温处理后的本征多晶硅颗粒之间更加紧密，之后再进行P型杂质注入，ESD光刻，刻蚀，然后一起加工后续的步骤，利用最后一步的回流热处理进行ESD区域N+与P区形成，由于N+杂质推结阻力小，可以保证N+把整个多晶硅扩散透，保证ESD结构上N+区能合理把整个多晶硅层扩散透，形成只有横向结构的NPNPN管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 esd 二极管 沟槽 mosfet 优化 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
