[发明专利]存储器阵列在审
| 申请号： | 202210149566.5 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114566194A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王宁;张可钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06;G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器阵列，包括：多个存储单元、多条位线、多条选择管字线和多条选择管字线，其中，所述存储单元构成m行×n列的阵列，各所述存储单元均包括：串联的选择管和存储管；各所述选择管的源极和栅极相连接并且同一行的所述选择管的栅极均连接对应的一所述选择管字线。本申请通过将选择管和存储管背靠背相邻设置，比传统的两管(选择管和存储管)分离结构的SONOS器件更加节省面积。进一步的，将各存储单元中的所述选择管的源极和栅极共接，从而省去了源线，在外接电路设计上更加简洁。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
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