[发明专利]多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法

摘要

本发明公开了多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法，涉及GaN器件驱动技术领域，包括：驱动电源Vcc1、N型MOSFET Q1和P型MOSFET Q2串联而成的推挽电路、电阻R3和二极管D1串联而成的充放电回路；其中电源Vcc2、电阻R6串联为三极管上拉电路，构成二级电流补充电路，比较器Z1构成用于拓展电路的比较器电路；充放电回路用于提供可靠关断和常规电流，不仅能够保证氮化镓器件的开通关断速度，而且避免了电压尖峰的产生，抑制了关断时的电压振荡；比较器电路为电路的拓展留下了更多的可能性，结合数字控制电路可以根据需求调整二级电流补充电路的数量，继而改变电路的驱动能力，提供稳定驱动电压，保证GaN HEMT器件可靠的运行。