[发明专利]一种提高结合力的金属布线层结构及制备方法在审
申请号: | 202210152399.X | 申请日: | 2022-02-18 |
公开(公告)号: | CN114464597A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 何亨洋;陈雷达 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L23/488;H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王艾华 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供一种提高结合力的金属布线层结构及制备方法,包括基片、嵌入金属、金属布线层、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层和微凸点结构;所述基片为来料芯片,基片的顶层有基片钝化层,并开有窗口将基片pad露出;嵌入金属设置在基片钝化层的上方,嵌入金属嵌入到第一绝缘介质层内,金属布线层位于第一绝缘介质层和嵌入金属的上方,金属布线层与基片pad金属互连;第二绝缘介质层位于金属布线层上方,微凸点结构位于第二绝缘介质层上方,微凸点结构与金属布线层金属互连。解决了金属布线层与绝缘介质层结合力较差时,系统组装强度弱、可靠性差的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 结合 金属 布线 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
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