[发明专利]SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法、装置及介质有效
| 申请号： | 202210154554.1 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114242578B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 曹榕峰;陈锰宏;章圣武;杨洋 | 申请（专利权）人： | 威海银创微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/67 |
| 代理公司： | 东营辛丁知联专利代理事务所(普通合伙) 37334 | 代理人： | 康宁宁 |
| 地址： | 264200 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，揭露了一种SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法，包括：将非掺杂氧化硅及源极多晶硅沉积在硅沟槽衬底的沟槽内，得到初始沉积沟槽，去除部分非掺杂氧化硅，得到原始待氧化沉积沟槽，在源极多晶硅的表面植入氮原子，得到目标待氧化多晶硅层，氧化目标待氧化多晶硅层及原始待氧化沉积沟槽的内壁，分别得到目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层，在目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层的表面，沉积栅极多晶硅，完成IPO厚度的调控。本发明还提出一种SGT Mosfet中IPO厚度的可控装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本发明可以解决改善源极和栅极的耐压不足和漏电的现象时，需要耗费较高的人力物力，制造成本较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | sgt mosfet ipo 厚度 可控 方法 装置 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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