[发明专利]一种低功耗的MOS管温度传感器电路在审
申请号: | 202210154881.7 | 申请日: | 2022-02-21 |
公开(公告)号: | CN114690843A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 于奇;肖淋洋;李靖 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26;G01K7/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明涉及模拟集成电路领域,具体涉及一种低功耗的MOS管温度传感器电路。本发明根据MOS管的亚阈区特性,将工作在相等的栅极电压下的两个相同的NMOS管MA |
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搜索关键词: | 一种 功耗 mos 温度传感器 电路 | ||
【主权项】:
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