[发明专利]一种低功耗的MOS管温度传感器电路在审

专利信息
申请号: 202210154881.7 申请日: 2022-02-21
公开(公告)号: CN114690843A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 于奇;肖淋洋;李靖 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26;G01K7/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及模拟集成电路领域,具体涉及一种低功耗的MOS管温度传感器电路。本发明根据MOS管的亚阈区特性,将工作在相等的栅极电压下的两个相同的NMOS管MA1和MB1给予不同的漏源电压,得到与温度相关的不同大小的电流值,对这两条支路I1和I2的电流作比,然后进行两点校正处理,得到该电路的温度误差值。由于本发明当输入特定的电源电压时,可以使电路模块的MOS管均工作在亚阈区,且输出感温电流受工艺偏差的影响较小;输出电流可以通过电流镜结构复制输出到所需要的其他模块里区,且本电路的器件工作均在亚阈区,能够得到与温度有关的电流值,且电流值较小,能实现低功耗的特点。
搜索关键词: 一种 功耗 mos 温度传感器 电路
【主权项】:
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