[发明专利]半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备在审
| 申请号： | 202210167810.0 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114551332A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李刚;郭申;桑瑞;张志雄;张成;陈成 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L29/06;G11C5/02 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备，包括：形成基底；在基底上形成沟槽；沿着沟槽的侧壁和底表面进行填充，形成第一填充层，第一填充层填充沟槽内的部分空间；去除第一填充层中远离侧壁和底表面的部分第一填充层，以形成修整填充层；在沟槽中的修整填充层上进行填充，形成第二填充层，从而能够解决大角度沟槽难以被填充材料完全填实的问题，并在将该半导体器件的制作方法应用于形成IC器件中浅沟槽隔离结构时，能够减小浅沟槽隔离结构内部的缝或空隙，以提升浅沟槽隔离结构的抗击穿能力，因而能够提高浅沟槽隔离结构的电隔离效果，有利于提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 存储器 存储系统 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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