[发明专利]GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法在审
| 申请号： | 202210167816.8 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114552389A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 吴烈飞 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/024;H01S5/042;H01S5/20;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基激光二极管的脊波导组件、GaN基激光二极管及方法，包括依次层叠设置的P型电子阻挡层、P覆盖层、P接触层，P接触层的上表面处开设有两条平行的沟槽，两条平行的沟槽之间形成脊条，沟槽外侧的P接触层的上表面处开设有凹槽，凹槽深度等于沟槽深度，P型电子阻挡层和P接触层的上表面、沟槽与凹槽的内底壁和内侧壁设有第一钝化层，脊条上表面处的第一钝化层开设第一通孔，在第一钝化层和脊条的上表面处设有P电极；或者，凹槽和沟槽内均填充有第二金属层，P接触层、第二金属层的上表面设置有第二钝化层，脊条上表面处的第二钝化层开设第二通孔，在第二钝化层和脊条的上表面处设置有P电极。其改进散热，降低封装要求。 | ||
| 搜索关键词： | gan 激光二极管 波导 组件 方法 | ||
【主权项】：
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