[发明专利]一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210168633.8 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114725185A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾;张学强;喻双柏;和巍巍;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 赵胜宝 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法，终端结构包括元胞区和终端区，其中，元胞区中远离衬底的一侧设置有主结区，且主结区设置于外延层的表面；终端区包括若干场限环以及一个截止环，截止环设置于终端区远离主结区的边缘，若干场限环依次排列于主结区与截止环之间，且若干场限环间隔于终端区的表面设置；终端区的表面对应于若干场限环覆盖有场氧化层，在场氧化层的表面设置有浮空场板，浮空场板包括对应于场限环的重叠区域，以及对应于相邻场限环之间区域的延伸区域，延伸区域用于吸引空穴。本发明提供的功率半导体器件的场限环终端结构，能够实现更理想的耐压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 场限环 终端 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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