[发明专利]绿光发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210168843.7 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114242856A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明提供一种绿光发光二极管外延片及其制备方法，该外延片包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的GaN成核层、未掺杂的u‑GaN层、掺杂Si的n‑GaN层、应力释放层、多量子阱有源层、电子阻挡层及掺杂Mg的p‑GaN层；其中，多量子阱有源层是由量子阱层和量子垒层交替层叠而成的周期性结构，量子阱层为InGaN阱层，量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，第一量子垒层为GaN垒层，第二量子垒层为在第一量子垒层上生长的In |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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