[发明专利]超薄金属栅的制造方法在审
| 申请号： | 202210170197.8 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114695122A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;顾珍;杨震;张磊;康小平;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超薄金属栅的制造方法，提供衬底，衬底上形成有浮栅结构，浮栅结构包括存储区域和非存储区域；形成覆盖浮栅结构的第一薄膜以及在第一薄膜上的第一复合薄膜层；在衬底形成覆盖氧化层的光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得非存储区域上的第一复合薄膜层裸露；刻蚀裸露出的第一复合薄膜层；刻蚀存储区域中的第一复合薄膜层；去除光刻胶层，之后在衬底形成覆盖有第一薄膜和剩余的第一复合薄膜层的第二复合薄膜层；刻蚀第一薄膜、剩余的第一、第二复合薄膜层。本发明在氮化钛层上形成了多层保护层，在后续高温工艺步骤保护氮化钛层，使氮化钛层连续，改善了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 金属 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
