[发明专利]一种法布里-珀罗微腔发光二极管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210171178.7 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114551762A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 巫江;任翱博 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610054 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种法布里‑珀罗微腔发光二极管，包括依次层叠设置的硅衬底、铬金属粘附层、高反射率金层、空穴传输层、界面修饰层、叔丁基‑铯铅溴钙钛矿发光层、电子传输层、半透明金层。本发明通过在硅基钙钛矿LED器件中设计同时具备电极和法布里‑珀罗微腔的器件结构，并优化各功能层厚度，降低了钙钛矿发光层的电致荧光波导模式损失，在多次反射后实现出光耦合增强，最终提高片上钙钛矿LED的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法布里 珀罗微腔 发光二极管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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