[发明专利]晶片温度调整装置、晶片处理装置及晶片温度调整方法在审
| 申请号： | 202210171188.0 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975175A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 桥口定央 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子科技株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶片温度调整装置、晶片处理装置及晶片温度调整方法，均匀且迅速地调整晶片的温度。晶片温度调整装置(100)具备：上表面(112)；晶片支承机构(114)，在将上表面(112)与晶片(W)的间隔(d)维持在规定范围内，且上表面(112)与晶片(W)之间的第1空间(118)和晶片(W)上方的第2空间(120)连通的状态下，在上表面(112)的上方支承晶片(W)；工作台(104)，调整上表面(112)的温度；及气体供给部(106)，向第1空间(118)及第2空间(120)供给热传递气体。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 温度 调整 装置 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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