[发明专利]钽制结构、测温孔结构、坩埚组件、测温孔防堵方法在审
| 申请号： | 202210173332.4 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114657632A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 鲍慧强;井琳;王增泽;乔建东;刘振洲;刘冬冬;杨帅;李宪宾;刘素娟;叶欣怡;赵然 | 申请（专利权）人： | 国宏中宇科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C23C8/64 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 邹飞艳 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，公开了一种，钽制结构、钽制结构的制备方法、测温孔结构、坩埚组件、测温孔防堵方法、碳化硅晶体制备方法。其中，坩埚组件包括：坩埚，包括坩埚体和坩埚盖；坩埚体由第一石墨制成，坩埚体包括相互之间可拆卸连接的坩埚上截和坩埚下截；坩埚盖由第二石墨制成，与坩埚体可拆卸连接并与坩埚体形成容置腔体；测温孔结构，测温孔结构设置在所述坩埚的上下两端。通过上述技术方案，利用碳化钽熔点高于碳化硅的升华温度这一特性，且碳化钽在高温下对硅与氢具有的化学惰性，有效避免了富硅气体对钽制结构内壁的腐蚀，阻碍碳化硅生成在测温孔中，这就不能提供大量的形核点供碳化硅后续的长大，避免了测温孔的堵塞。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 测温 坩埚 组件 孔防堵 方法 | ||
【主权项】：
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