[发明专利]超材料低频插损测试方法及装置在审

专利信息
申请号: 202210175216.6 申请日: 2022-02-25
公开(公告)号: CN114636861A 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 陈立杰;邓峰;肖龙;李善波;熊波 申请(专利权)人: 中国舰船研究设计中心
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26;G01R29/10;G01R23/16
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平;黄帅
地址: 430064 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种超材料低频插损测试方法及装置,该方法包括以下步骤:利用天线发出低频电磁信号,测量目标点处天线发出的远场场强分布;将超材料置于天线与目标点之间,再次测量目标点处天线发出的远场场强分布;将同一天线频率,同一目标点处,有无超材料两种情况下的场强数据做差,得到相对场强变化,即为插损。本发明通过测量电磁波分别在有无超材料阻挡的情况下,一定距离后的远场分布,进而测量超材料的插入损耗,实现了低成本的超材料低频插入损耗的精确测量。
搜索关键词: 材料 低频 测试 方法 装置
【主权项】:
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