[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202210177950.6 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114551680A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李文涛;刘伟;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/10;H01L33/14 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及制备方法，该方法包括：对外延层及Mesa台阶进行刻蚀处理并刻蚀至衬底，以刻蚀得到切割道，切割道处外延层的侧面与衬底的顶面之间所形成锐角夹角为40°‑80°；在外延层上生长电流阻挡层；在外延层上生长电流扩展层并将电流阻挡层覆盖；在Mesa台阶与电流扩展层上分别制备N型导电金属与P型导电金属；在N型导电金属与P型导电金属以及电流扩展层上制备布拉格反射层，对布拉格反射层进行刻蚀以得到N型导电通孔与P型导电通孔；在布拉格反射层之上制备与N型导电金属对应的N型键合金属、与P型导电金属对应的P型键合金属。本发明能够在不减小芯片发光区面积、不增加芯片尺寸的情况下，增大切割道处衬底与外延层的横向距离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司，未经江西兆驰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210177950.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种JTAG读指令延时处理方法
- 下一篇：一种智能的高压液相分离纯化方法
