[发明专利]半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法在审
| 申请号： | 202210180299.8 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114720448A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 陈凡红;明安杰;赵永敏;毛昌辉;张少勋;王天昱 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/35;C23C18/12 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的SERS衬底的制备方法，包括：首先采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术，对硅片进行无掩膜刻蚀，获得高密度大面积纳米硅锥阵列结构；然后利用磁控溅射或热蒸镀在上述纳米硅锥结构上包覆一层纳米厚度的贵金属膜；最后采用提拉浸渍法在上述贵金属膜覆盖的纳米硅锥上均匀单分散负载一层ZnO纳米颗粒获得SERS衬底。本发明制备得到的ZnO纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构SERS衬底具有贵金属的物理电磁增强效应，还耦合了半导体的电荷转移化学增强机制，通过二者的协同效应，对于提高SERS衬底的灵敏度、增强因子、实际检测中对痕量物质的定量分析能力具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 氧化物 纳米 颗粒 修饰 贵金属 阵列 结构 表面 增强 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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