[发明专利]一种用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法在审
| 申请号： | 202210181156.9 | 申请日： | 2022-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN114488698A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 赵振合;刘絮霏 | 申请（专利权）人： | 筑磊半导体技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/30;G03F7/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201824 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
一种用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，所述处理方法包括如下步骤：S1、将SU‑8光刻胶分配在Si/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 紫外 光刻 法制 环氧基 悬浮 微结构 细微 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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