[发明专利]红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202210183371.2 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114242858B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;窦志珍;杨琪;马婷;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层；其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期先渐进式递增再渐进式递减，以使所述布拉格反射镜包含N型覆盖层和N型限制层的功能。本发明能够简化外延结构及外延加工工艺，使生产成本更加低廉，且使布拉格反射镜综合了布拉格反射镜结构、N型覆盖层结构及N型限制层结构的功能，能够提高二极管的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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