[发明专利]一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202210185150.9 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114566566A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 陈占国;张文博;陈曦;孙浩航;刘晓航;赵纪红;刘秀环;侯丽新;高延军 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09;H01L31/0304 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法,属于半导体光电探测技术领域。本发明以c面蓝宝石为衬底,采用反应射频磁控溅射技术在衬底上生长氮化铝薄膜,然后以“面对面”的退火方式改善氮化铝薄膜的结晶质量,再通过磁控溅射或电子束蒸发的方式在氮化铝薄膜上制备金属叉指电极,最终得到氮化铝日盲光电探测器。本发明制得的氮化铝探测器对波长小于210nm的日盲波段光有着较高的响应,其在50V偏压下的光电流高达291nA,响应度为0.51A/W。本发明工艺流程简单,成本低廉,适合批量生产,制备的氮化铝探测器可应用于日盲光电探测领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 铝日盲 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的