[发明专利]基于非易失存储器件的存内计算电路和方法在审
| 申请号： | 202210185373.5 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114627937A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李威;阮爱武;尹自强;吴方明;杜涛 | 申请（专利权）人： | 成都市硅海武林科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 | 代理人： | 罗江 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，涉及一种基于非易失存储器件的存内计算电路和方法，电路包括基于非易失存储器件的单元电路，利用一个以上的单元电路构成阵列电路，阵列电路用于存内计算；单元电路中，非易失存储器件一端与位线BL相连，非易失存储器件另一端与第一NMOS管M1漏极相连；第一NMOS管M1源极与第二NMOS管M2的漏极相连，第一NMOS管M1栅极与第二位线WLB相连；第二NMOS管M2源极与源线SL相连，第二NMOS管M2栅极与第一位线WL相连。本发明所实现的存内计算具有高集成度、低功耗、高性能的优点，可以用于神经网络运算的加速等多种应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 非易失 存储 器件 计算 电路 方法 | ||
【主权项】：
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