[发明专利]外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片在审
| 申请号： | 202210187796.0 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114784162A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;兰叶 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括蓝宝石衬底和外延层，所述外延层位于所述蓝宝石衬底的表面；所述蓝宝石衬底靠近所述外延层的表面具有多个凸起结构，多个所述凸起结构间隔排布，所述凸起结构的折射率位于所述蓝宝石衬底的折射率和所述外延层的折射率之间。本公开能改善因光子在蓝宝石衬底和外延层的交界处形成全反射，而导致光子无法逃逸的问题，提升发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制备 方法 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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