[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括在第一方向上彼此相邻并共享单元边界的第一逻辑单元和第二逻辑单元；第一金属层，所述第一金属层位于所述衬底上，所述第一金属层包括电力线，所述电力线设置在所述单元边界上以在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并具有平行于所述第二方向的中心线；以及第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上。所述第二金属层可以包括设置在所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元中的每一者上的第一上互连线和第二上互连线。所述第一上互连线可以沿着第一互连轨道在第一方向上延伸。所述第二上互连线可以沿着第二互连轨道在所述第一方向上延伸。