[发明专利]超结器件在审
| 申请号： | 202210189068.3 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114864654A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王加坤 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种超结器件。所述超结器件包括：半导体衬底；以及位于所述半导体衬底的第一表面上的超结结构，所述超结结构包括多个第一半导体柱和多个第二半导体柱，其中，所述超结器件包括元胞区和围绕所述元胞区的终端区，所述超结结构的一部分位于所述元胞区中，另一部分位于所述终端区中，所述超结器件还包括位于所述终端区中并且围绕所述元胞区的保护环，所述保护环包括分段延伸的多个掺杂区，以及将所述多个掺杂区连接成连续环的第一组半导体柱的顶端部分。该超结器件的保护环中的第一组半导体柱的顶端部分未掺杂，因此可以改善保护环的杂质分布和终端区中的电荷平衡，提高超结器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 | ||
【主权项】：
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