[发明专利]一种真空反应室内温度控制装置在审
| 申请号： | 202210193565.0 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114709148A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王浩明 | 申请（专利权）人： | 苏州子山半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 夏祖祥 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空反应室内温度控制装置，包含底座、加热组件和载台；所述底座设置在真空反应室内，且顶部设置有凹槽；所述加热组件设置在凹槽内，包括设置在凹槽底部的陶瓷板、设置在陶瓷板顶部的导电件、至少一个设置在导电件上的远红外灯泡；所述载台设置在底座顶部，且覆盖凹槽；所述载台采用半导体制冷片制成；本发明不仅能通过远红外灯泡对载台进行加温，且通过将载台采用半导体制冷片制成，能进行降温，从而实现对晶圆温度的精确控温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 反应 室内 温度 控制 装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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