[发明专利]一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法在审
| 申请号： | 202210196597.6 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114759085A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 崔鹏;陈思衡;韩吉胜;徐现刚;林兆军;展杰;徐明升;崔潆心;钟宇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/285;H01L21/335;C23C14/06 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层。在GaN帽层上高温生长ScAlN介质层，高温生长的ScAlN与GaN帽层之间的界面陷阱态较少，界面电荷散射较弱，而且ScAlN可以有效钝化材料表面，减少表面陷阱态，从而提高器件的的最大饱和电流I |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 scaln 介质 inaln gan mis hemt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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