[发明专利]基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法及器件在审
| 申请号： | 202210198731.6 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114566461A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郭盼盼;向遥;闫未霞;彭挺 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610299 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法及器件，属于半导体制造技术领域，包括在完成正面器件的衬底上刻蚀第一背孔，并在第一背孔中制备第一金属层；在衬底正面涂布保护层，并对衬底背面进行减薄处理；在衬底背面进行刻蚀形成第二背孔直至暴露第一背孔，实现深背孔的制作。本发明通过在器件正面、背面分别刻蚀第一背孔、第二背孔进而实现深背孔的制作，保证了刻蚀良率与效率，大大降低了深背孔制作难度；同时，在第一背孔、第二背孔中分别制作第一金属层、第二金属层，降低了深背孔电镀电路连接难度；在正反面双面通孔的基础上，控制光刻胶的形貌和等离子体刻蚀条件，有效解决衬底侧刻问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 正反面 半导体器件 深背孔 制作方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
