[发明专利]半导体芯片、经加工晶圆以及制造半导体芯片的方法在审
| 申请号： | 202210202228.3 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN115020207A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 长屋正武;河口大祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L23/544 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体芯片的制造方法，包括：制备GaN晶圆；通过在GaN晶圆的表面上形成外延膜来制造经加工晶圆以具有与经加工晶圆的第一表面相邻的多个芯片形成区域；在每个芯片形成区域中形成半导体元件的第一表面侧元件部件；通过从经加工晶圆的第二表面利用激光束照射经加工晶圆的内部，沿经加工晶圆的平面方向形成晶圆变换层；在晶圆变换层处将经加工晶圆分成芯片形成晶圆和回收晶圆；从芯片形成晶圆取出半导体芯片；以及在制备GaN晶圆后且在划分经加工晶圆前，通过利用激光束照射在氮化镓晶圆或经加工晶圆之一的内部形成标记，该标记由镓的沉积形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 加工 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
