[发明专利]基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器及制备方法在审
申请号: | 202210204191.8 | 申请日: | 2022-03-03 |
公开(公告)号: | CN114628544A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 刘桂芝;马丙乾;何云 | 申请(专利权)人: | 无锡麟聚半导体科技有限公司;上海南麟集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/167;H01L31/18;B81B7/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器及制备方法,所述基于肖特基二极管和紫外LED的微型压觉传感器的结构左右对称,包括一个紫外LED和一个肖特基二极管探测器。本发明利用MEMS技术可以在同一块芯片上集成光电式压觉传感器的所有部件,使得最终得到的器件体积小、重量轻,并且可以通过批量化生产降低生产成本,有利于本发明的应用与推广;本发明采用光电式传感原理,具有灵敏度高、响应速度快及抗电磁干扰能力强的优点;本发明的尺寸可以根据制备的工艺能力进行缩放,通过大规模高密度的集成,从而实现高分辨率的压觉传感功能。 | ||
搜索关键词: | 基于 肖特基 二极管 紫外 led 微型 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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