[发明专利]三维存储器及其制作方法、存储系统

摘要

本公开提供了一种三维存储器及其制作方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低形成深宽比较大的沟道孔的工艺难度。三维存储器的制作方法包括：在衬底上形成初始叠层结构，初始叠层结构包括交替叠置的牺牲层和第一介质层。形成贯穿初始叠层结构的开口。沿平行于衬底的方向，去除牺牲层中靠近开口的部分，形成第一凹陷部。在具有第一凹陷部的开口的内壁上形成材料层，材料层的表面上具有位于第一凹陷部中的第二凹陷部。在第二凹陷部中形成保护部，材料层中被保护部遮挡的部分为第一部分，其余部分为第二部分。对材料层的第二部分进行改性。去除保护部和材料层的第一部分。