[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

公开了一种3D存储器件及其制造方法，方法包括：在衬底上形成绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；形成贯穿所述绝缘叠层结构的多个沟道柱；形成贯穿所述绝缘叠层结构的多个栅线缝隙；经由所述栅线缝隙去除多个牺牲层形成空腔；在所述空腔中依次形成高K介质层、氮化钛层和栅极导体；在所述栅线缝隙中形成第一绝缘层和导电通道，其中，所述高K介质层和所述氮化钛层位于垂直于衬底表面方向的相邻层间绝缘层之间。本申请的3D存储器件及其制造方法，通过对高K介质层进行回蚀刻，降低器件的漏电问题，从而提高器件良率和可靠性。