[发明专利]磁隧道结器件和其制造方法、存储器件和电子系统在审
| 申请号： | 202210209054.3 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN115036415A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 金洸奭;朴盛健;长谷直基;李昇宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了磁隧道结器件和其制造方法、包括该磁隧道结器件的存储器件和电子系统。该磁隧道结器件包括：第一磁性层；设置为面对第一磁性层的第二磁性层；以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间并包括金属氧化物的第一氧化物层，其中第一氧化物层的金属氧化物具有按化学计量地缺氧组成，以及其中第二磁性层包括掺有金属元素的磁性材料。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 器件 制造 方法 存储 电子 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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