[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210214734.4 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN115832059A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 中根由;户田顺之;北原宏良;山本武志;寺田直纯 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L29/792 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体基板、存储晶体管和MOS晶体管。存储晶体管具有在半导体基板上依次配置的至少第1硅氧化膜和第1栅极电极。MOS晶体管具有在导体基板上依次配置的第2硅氧化膜和第2栅极电极。在存储晶体管的第1硅氧化膜及第1栅极电极中的至少一方不产生鸟喙部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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