[发明专利]钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法有效
| 申请号： | 202210217798.X | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114284057B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张葆华;何欢;杨连圣;郭敬东;张敏刚;韩志明;赵亚利;董文;董永安;赵菁 | 申请（专利权）人： | 山西金山磁材有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F41/18;H01F41/30;H01F1/057 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 侯小幸 |
| 地址： | 030000 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钕铁硼颗粒连续复合镀膜装置及对钕铁硼晶界深度调控的方法，涉及烧结钕铁硼制造领域。该装置包括进料系统、镀膜系统、出料系统、直流偏压电源、冷却系统和抽真空系统。镀膜室内部包括反溅清洗区和溅射镀膜区。颗粒通过布料斗均匀布置在电磁振动布料工作台上进行反溅清洗，之后运动到磁控溅射镀膜工作台上进行多靶材连续复合磁控溅射镀膜。出料室内的集料斗收集颗粒并导入旋转冷却滚筒进行冷却，调整布料斗尺寸以调整颗粒粉料厚度，调整电磁振动角以调整粉料行进速度，调整溅射电流来调整靶材的沉降速率，进而控制颗粒表面的膜层厚度。该方法可对烧结钕铁硼进行深度高效的晶界调控，改善了磁体性能、耐腐蚀性和机械特性。 | ||
| 搜索关键词： | 钕铁硼 颗粒 连续 复合 镀膜 装置 钕铁硼晶界 深度 调控 方法 | ||
【主权项】：
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