[发明专利]一种含芴有机硅低介电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202210219323.4 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114716681A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 朱庆增;张睿 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C08G77/38 | 分类号： | C08G77/38 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王素平 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种含芴有机硅低介电材料及其制备方法。该含芴有机硅低介电材料含有双酚芴类结构单元、聚硅氧烷结构单元。将双酚芴类分子引入氨烃基聚硅氧烷制得了含芴有机硅低介电材料，降低了聚硅氧烷基体材料的介电常数，保持了聚硅氧烷材料的本征性能，如优异的疏水性能、耐高温性能。该含芴有机硅低介电材料的介电常数在2.10～2.50范围内，有望应用于5G技术领域及柔性微纳米器件和集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机硅 低介电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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