[发明专利]一种MEMS高台阶加工制造方法在审
| 申请号： | 202210219856.2 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114751366A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 王东平 | 申请（专利权）人： | 苏州感芯微系统技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS高台阶加工制造方法，包括步骤：在基底上淀积膜层；通过光刻、腐蚀膜层，形成所需的膜层结构；在基底和膜层结构上淀积第一牺牲层；在第一牺牲层上淀积停止层；通过光刻、腐蚀停止层的中部区域，只保留边缘区域；在第一牺牲层和停止层结构上淀积第二牺牲层；采用CMP工艺对第二牺牲层研磨，直到边缘区域研磨到停止层，中部区域继续研磨至与停止层同样高度。本发明的牺牲层MEMS高台阶加工制造方法，在膜层上淀积两层牺牲层和一层停止层，利用牺牲层与停止层的材质不一样，其研磨速率也不一样，利用停止层可以保证圆片中部和边缘区域剩余的牺牲层厚度一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 台阶 加工 制造 方法 | ||
【主权项】：
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