[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210222690.X | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN115084259A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 吉田智洋 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供能抑制栅电极的特性的变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体层；绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有开口；栅电极，经由所述开口连接于所述半导体层；以及保护膜，覆盖所述栅电极，所述绝缘膜具有：所述半导体层侧的第一面；以及与所述第一面相反侧的第二面，所述栅电极具有：第三面，离开所述第二面并与所述第二面对置；以及第四面，将所述第二面与所述第三面相连，所述栅电极包含构成所述第三面和所述第四面的Ni膜，在所述第三面和所述第四面具有覆盖所述Ni膜的Ni氧化膜，所述保护膜从所述Ni氧化膜之上覆盖所述第三面和所述第四面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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