[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 202210222867.6 | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN115116830A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 山下敦;香川兴司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括准备工序、掩模去除工序和干燥工序。准备工序准备基片，其中，在该基片的层叠膜上形成有作为掩模的氧化锆膜，并且进而被干蚀刻成了规定形状。掩模去除工序在准备工序之后对基片供给以硫酸为主成分的掩模去除液，去除氧化锆膜。干燥工序在掩模去除工序之后，使被冲洗液润湿了的基片的表面干燥。根据本发明，能够将作为掩模来使用的氧化锆膜从基片上良好地去除。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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