[发明专利]一种在真空条件下制备钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 202210224151.X | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114792762A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳黑晶光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人： | 李俊 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种在真空条件下制备钙钛矿薄膜的方法，包括：制备钙钛矿湿膜、真空辅助钙钛矿成相、真空条件下退火。采用狭缝涂布、旋涂或喷墨打印的方法制备钙钛矿湿膜，经过真空闪蒸工艺制备钙钛矿中间相薄膜，将钙钛矿中间相薄膜维持真空状态下进行退火，制得高质量钙钛矿薄膜。因在惰性气体氛围中成膜，且成膜过程中保持真空状态，可以有效的隔绝水氧氛围的影响，制备的钙钛矿薄膜均匀性好，晶体结构稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 条件下 制备 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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