[发明专利]形成电介质隔离的方法、器件的制备方法、器件及设备在审
| 申请号： | 202210224521.X | 申请日： | 2022-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114639720A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 汪大伟;刘桃;孙新;徐敏;张卫;陈鲲;杨静雯;吴春蕾;王晨;徐赛生;尹睿 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直堆叠环栅器件局部形成体电介质隔离的方法，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成鳍结构，环绕堆叠件，环绕堆叠件沿横跨鳍结构；对环绕堆叠件沿第二方向的两侧的鳍结构进行刻蚀，以形成源/漏空腔；并刻蚀掉源/漏空腔底部的衬底的表层，形成衬底凹层；对所述鳍结构沿第二方向的端部的牺牲层进行刻蚀，形成刻蚀空隙；在衬底凹层上形成第一电隔离层，以隔离源/漏空腔和鳍结构下方的衬底的表层；并在刻蚀空隙内形成内间隔层；使得鳍结构底端的衬底的表层和源/漏层隔离，从而避免后续工艺形成的源/漏区与寄生沟道相接触，从而减小源/漏区之间的漏电流，实现减小器件能耗，避免器件性能下降的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电介质 隔离 方法 器件 制备 设备 | ||
【主权项】：
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