[发明专利]高压晶体管仿真模型及建模方法有效
| 申请号： | 202210229031.9 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114330228B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 高锡龙;郭千琦;曾权飞 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压晶体管仿真模型及建模方法。所述仿真模型及建模方法在BSIM仿真模型的基础上，在高压晶体管的漏极端串联一个可变电阻，在一定温度条件下，所述可变电阻的阻值与所述高压晶体管的栅源电压和漏源电压的多项式函数成正比。通过高压晶体管的测试数据提取所述可变电阻的关系式，并被SPICE工具调用，可得到优化后的BSIM仿真模型，实验数据表明，使用该优化后的BSIM仿真模型对高压晶体管的特性曲线进行仿真可以改善仅采用通用BSIM仿真模型仿真时存在的不收敛的问题，有助于提升高压器件设计的效率和准确性，缩短产品设计周期及降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 仿真 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
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