[发明专利]半导体存储装置

摘要

半导体存储装置，包括阵列区以及围绕着阵列区的周围区。阵列区包括多个有源区以及位于有源区之间的第一绝缘层。周围区包括周围结构、围绕着周围结构的第二绝缘层，以及围绕着第二绝缘层的第三绝缘层。至少一埋入式字线，延伸穿过阵列区及周围区，其中埋入式字线切过第二绝缘层的部分包括颈部轮廓，为埋入式字线沿线的最高电阻值处。当半导体存储装置包括多条埋入式字线，本发明可使埋入式字线之间具有较一致的电阻值及信号延迟时间。