[发明专利]电迁移测试结构、半导体结构及三维存储器在审
| 申请号： | 202210230765.9 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114639660A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 蒲力;漆林 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种电迁移测试结构、半导体结构及三维存储器。其中，电迁移测试结构包括测试线和衬底。测试线连接有阳极引线和阴极引线；衬底与阴极引线连接，衬底配置为通过阴极引线接收测试线中的静电荷。本申请通过将阴极引线接入衬底，从而使衬底能够通过阴极引线接收测试线中的静电荷，因此，在测试过程中以及在后续失效分析过程中即使引入了静电，这部分静电也可通过阴极引线导出至衬底中，以此减小测试和失效分析过程中测试线发生爆燃的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移 测试 结构 半导体 三维 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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