[发明专利]一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202210234871.4 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114836039B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 秦风;白宇;吕银祥;高原;严志洋 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | C08L83/07 | 分类号： | C08L83/07;C08K5/14;C08K3/14;C08J5/18;C08J7/12;C23C18/40;C23C18/30 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 吕玲 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电子材料技术领域，具体为一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合材料及其制备方法。该复合材料包括有机硅橡胶与MXene的混合基底层和超薄导电铜层；超薄导电铜层为铜纳米粒子构成的金属层。本发明采用热压成型、自催化化学镀等技术手段，制备出一种具有三明治结构的“(有机硅橡胶与MXene混合体)‑Cu‑(有机硅橡胶与MXene混合体)”复合材料；所制备的复合材料电气绝缘性优异且无磁性，但具有良好的太赫兹屏蔽性能；由于铜层与MXene层的协同复合作用，使得在未引入磁性金属的情况下，制备的太赫兹屏蔽复合材料在0.1‑2.2THz范围内具有超过38dB的平均屏蔽效能，而电导率低至0.7S/m。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电导率 磁性 赫兹 屏蔽 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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