[发明专利]基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法在审
| 申请号： | 202210238402.X | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN116156899A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 曹恒;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 袁文婷;张娓娓 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法及阵列，将p+有源区所在的第二个二极管通过CT与复位线相连接；并通过CT将第一个二极管的p型端与第二个二极管的n型端连接至metal层，将metal层与RRAM器件相连以形成RRAM阵列；其中，两个二极管和一个RRAM器件连结组成RRAM阵列中的存储单元；而后按照预设的操作表使RRAM阵列做读取、写入、擦除操作，如此，由于n阱与p阱存在反偏效应，两者的反偏击穿电压一般在10V以上，远远满足RRAM5V的应用场景，同时将每个二极管的阱端引出，降低阱作为字线和RESET线的电阻，从而降低IR DROP及增大驱动电流，并且采用与现有技术不同的2D1R操作方法，主动设定未选中位线，字线与RESET线的电压，提高器件的抑制性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 驱动 电流 窗口 改进 d1r 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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